韩媒：三星2nm制程，将增多30%的EUV光刻层

7月19日音讯，据韩媒TheElec报谈，与三星的3nm制程比拟，来岁行将量产三星2nm制程将会多出30%的极紫外（EUV）光刻层。

三星于2018 年头次驱动在其 7nm 逻辑制程工艺节点上驱动欺骗 EUV，从其时起，跟着迁徙到5nm，再到3nm，三星在芯片坐蓐经过中的EUV光刻层的数目或EUV工艺秩序的数目也在捏续增长。

报谈征引音讯东谈主士的话示意，三星的2nm制程仍是增多到了 20 层的EUV光刻层。而三星的1.4nm则展望将有30多个EUV光刻层。

与此同期，三星也将EUV欺骗于其DRAM坐蓐。三星为其第 6 代 10nm DRAM 欺骗了多达 7 个 EUV 层，而 SK 海力士则欺骗了 5 个EUV光刻层。跟着越来越多的芯片制造商扩大其EUV工艺秩序，光刻胶、空缺掩模和薄膜等相关行业也有望增长。

阐明三星此前公布的工艺蹊径图露馅，炒股开户2nm SF2制程2025年推出，较第二代3GAP 3nm制程，换取运料到打算频率和复杂度情况下课缩短25%功耗，换取功耗和复杂度情况下课进步12%料到打算性能，减少5%芯单方面积。

接下来的2nm SF2Z 制程给与了优化的后头供电网罗 (BSPDN) 本事，该本事将电源轨置于晶圆后头，以拔除电源线和信号线之间的瓶颈。与第一代 2nm 节点 SF2 比拟，将 BSPDN 本事欺骗于 SF2Z 不仅不错进步功率、性能和面积 (PPA)，还不错显赫缩短电压降 (IR 降)，从而进步 HPC 想象的性能。SF2Z 展望将于 2027 年已毕量产。

三星还公布了其他 2nm 工艺的发布日历。用于移动界限的 SF2 和 SF2P 将分袂于 2025 年和 2026 年推出。针对东谈主工智能和高性能料到打算的 2nm 工艺将于 2026 年推出，早于 BSPDN 工艺。该公司还将于 2027 年推出用于汽车的 SF2A 工艺。

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